- 铁电薄膜特性的理论研究
- 该文根据大多数铁电薄膜均夹持在两个金属电极之间的实际使用状态和对非理想表面层对铁电薄膜体系自由能影响的理论分析,提出了一个推广的GLD自由能表达式,由此出发并应用宏观的热力学理论研究了铁电薄膜的自发极化分布、平均极化与温度和表面层相对厚度关系、电滞回线特性等.该文以二级相变铁电薄膜为例进行了数值计算,得到了新结果如下:1、非理想表面层的作用是压低自发极化强度,使铁电薄膜内自发极化的分布不均匀,压低....
- 作者：徐忠炜专业：理论物理分类号：O484.4导师：吕天全单位：吉林大学
- PLD方法制备MgF<,2>、DLC薄膜及其性质研究
- 该文主要研究了PLD方法制备MgF<,2>光学薄膜及类金刚石薄膜(DLC),对MgF<,2>薄膜,我们系统研究了激光能量、衬底温度等对其表面形貌、结构以及化学组分的影响,还进一步分析了MgF<,2>薄膜的光学透过率及折射率;对DLC薄膜,首先讨论了H<,2>、N<,2>气氛对于DLC薄膜杂化态的影响,其次重点对其场发射性质进行了测试分析.
- 作者：于琳专业：凝聚态物理分类号：TB43导师：方容川;王冠中单位：中国科学技术大学
- 金属氧化物半导体薄膜的性质研究
- 该文研究了射频反应性溅射方法制备的CdIn<,2>O<,4>(CIO)薄膜的气敏性质,测试了薄膜对酒精气体的灵敏随温度、气体浓度的变化以及传感器元件的响应曲线,实验表明:CIO薄膜对酒精气体有很好的敏感性,在CIO薄膜表面溅射上一层极薄的Pt作为催化剂之后,薄膜对酒精气体的灵敏性显著提高;探讨了多元氧化物CIO薄膜对酒精气体的气敏机理,分析了氧气和酒精气体在CIO薄膜表现发生的吸附及氧化还原反应,....
- 作者：董玉峰专业：凝聚态物理分类号：TN304.055导师：王万录单位：重庆大学
- 纳米硅基薄膜的制备及特性研究
- 纳米结构Si基半导体材料由于在硅集成光电子和纳米器件中具有广阔的应用前景正日益受到广泛的重视.为了获得具有良好发光特性和有器件应用价值的纳米结构Si基半导体材料,关键在于对纳米结构尺寸和分布的人工控制.该工作以探索晶粒尺寸和分布可控的纳米结构Si基薄膜的制备方法为目标,从等离子体化学汽相沉积方法制备(PECVD)的非晶薄膜材料出发,采用不同的方法得到了有不同特性的纳米结构Si基薄膜.
- 作者：程文娟专业：物理学、凝聚态物理分类号：O484导师：贺德衍单位：兰州大学
- Fe-N、Fe-Ti-N薄膜的结构和性能研究
- 采用射频溅射的方法制备了适用于高密存储写入磁头材料的Fe-N薄膜和Fe-Ti-N薄膜,系统地研究了各种工艺条件下薄膜的结构和性能,以及制备工艺、微结构和性能之间的关系.对Fe-N薄膜的研究表明:N进入a-Fe,使α′具有高饱和磁化强度;N进入α-Fe点阵的八面体间隙,引起极大的畸变,使晶粒碎化.提高溅射功率也使晶粒度下降.两者共同作用,能使晶粒度下降到nm级,使Hc下降,较高真空度下制备的Fe-N....
- 作者：李丹专业：材料学分类号：TB383导师：李福燊;乔利杰单位：北京科技大学
- VO<,2>用于红外激光防护技术的研究
- 该文研究了VO<,2>的相变特性.首先分析了其相变机理,然后我们选择一定的参数制备了VO<,2>薄膜.VO<,2>研究的难点在于怎样制备纯度高的VO<,2>薄膜以及改变它的相变温度.为了提高纯度我们对制备好的VO<,2>薄膜做了退火处理,对它做了XPS测试,在退火前后分别拟合了其组成成分,对拟合结果做了对比,分析了退火对VO<,2>薄膜组成成分的影响.通过掺杂可以改变VO<,2>薄膜的相变温度.最后我们做实验测试了它在相变前后的透过率,由透过率的变化看出我们所制备的VO<,2>薄膜发生了相变.
- 作者：田雪松专业：物理电子学分类号：TN939.13;TN304.055导师：掌蕴东单位：哈尔滨工业大学
- 有关固态薄膜表面应力的几个问题
- 我们对固态薄膜表面应力的探讨基于以下三个方面的研究:表面应力作用下薄膜本征应力的演化,薄膜形状的分岔,以及薄膜力学响应的尺度效应等. 薄膜本征应力是薄膜形成过程中由于缺陷等原因而引起的内应力.推导薄膜本征应力的已有模型,基本上都忽略界面作用及衬底变形因素的影响.基于能量方法,我们推导了本征应力与薄膜—衬底系统几何尺寸的关系,得出的最大平均本征应力比现有模型的计算结果小,并在沉积厚度一定时随衬底厚度....
- 作者：闫琨专业：固体力学分类号：O484导师：何陵辉单位：中国科学技术大学
- 纳米ZnO薄膜的特性研究
- 该文采用真空范发法制备纳米ZnO薄膜,通过利用XRD、扫描俄歇能谱仪、分光光度计等仪器的测试与分析,研究薄膜的制备、掺杂、补底以及热处理温度时间对ZnO薄膜的结构、晶粒尺寸、电学特性、光学特性、气敏特性的影响.结果表明有,以分析纯Zn粉末作为蒸发源,蒸发获得表面均匀的纳米Zn薄膜,然的在大流量氧气氛下同时时行氧化及热处理,当热处理及氧化温度高于400℃时,可以获得质量好的纳米ZnO薄膜,薄膜沿c轴择优取向.随着氧化及热处理渐度升高,同一样品的晶粒尺寸随之增加.
- 作者：宋淑芳专业：物理电子学与光电子学分类号：TN304.055;O484导师：季秉厚;李健单位：内蒙古大学
- ZnO薄膜的研究
- 该论文对ZnO薄膜在LiNbO<,3>衬底上的外延生长,掺铝ZnO薄膜作为PZT的过渡层用于调整PZT的取向和疲劳特性,掺锂ZnO陶瓷和薄膜的铁电和介电性质等进行了较系统的研究,并取得了若干新的结果,主要内容如下:(1)ZnO薄膜在LiNbO<,3>初底上的外延生长.我们首次用紫外脉冲激光方法在（001）取向的LiNbO<,3>初底上外延生长了（001）取向性的ZnO薄膜.（2）ZnO缓冲层对PZ....
- 作者：王栩生专业：材料物理分类号：O484.42导师：刘治国单位：南京大学
- 两种碳基薄膜材料的CVD生长及其性质研究
- 类金刚石薄膜是一种在很多性质上接近金刚石的非晶材料,特别是具有在红外甚至部分可见光区透明的特点,所以它可以用来作为光学玻璃上的保护和消反射涂层.为了实现这个应用,我们利用热丝化学气相沉积法研究了类金刚石薄膜在熔融石英衬底上的沉积过程及其光学性质.SiCN薄膜也是一种碳基材料,在力学、光学、场发射等方面表现出优良性质,使得它在平板显示、太阳能电池和高硬度薄膜材料等方面具有很好的应用前景.我们首次使用....
- 作者：牛晓滨专业：凝聚态物理分类号：TB383;O484导师：方容川;廖源单位：中国科学技术大学
- 预测控制的线性方法、非线性方法和神经网络方
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