- 触媒CVD低温制备纳米β-SiC薄膜及其性能研究
- 该文采用触媒CVD方法,在单晶Si和石英衬底上制备出纳米立方SiC（β-SiC）薄膜.通过控制参数,在较低的衬底温度下成功获得出（111）择优取向的纳米薄膜.在该工作中,着重研究了主要工艺参数对纳米β-SiC薄膜生长特性的影响.采用紫外-可见分光光度计测定了纳米β-SiC薄膜透射光谱和反射光谱,并通过样品的透射光谱和反射光谱计算了纳米β-SiC薄膜吸收收系数α和光学带隙E<,g>.
- 作者：李建超专业：材料物理与化学分类号：TB345导师：严辉;王波单位：北京工业大学
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