- III族氮化物材料的性质研究
- III族氮化物半导体因其宽禁带、较高的热稳定性和化学稳定性,在绿光、蓝光甚至紫外波段的发光器件和高温微电子器件领域有广泛的应用前景.该文主要有以下几个方面的工作:1)研究MOCVD生长的不同Mg掺杂浓度GaN样品的光学性质.2)我们采用一种称为低温钝化法的新的生长方法,成功地用MOCVD技术长出多层InGaN/GaN量子点.用原子力显微镜观察到岛状的量子点.从样品的I-V特性曲线观察到了共振隧穿引....
- 作者：曲宝壮专业：材料物理与化学分类号：TN304.2导师：王占国;朱勤生单位：中国科学院半导体研究所
- 多孔硅的形成及其镶嵌激光染料的光谱研究
- 该文第一章从孔硅的发展史、形成机理、微观结构、光学性质、发光机理和应用前景等方面对已有的工作进行总结,在此基础上,第二章首先研究了多孔硅的制备过程,接着又分析了电解液成分、电流密度等制备参数在样品形成过程中的作用,从而优化了样品的制备条件.最后,研究了多孔硅的光致发光.第三章研究了多孔硅镶嵌激光染料的光谱,指出多孔硅表面具有良好的光学敏感性.
- 作者：潘志峰专业：物理电子学分类号：O484.4;TN304.12导师：李清山单位：曲阜师范大学
- CaSO<,4>:Eu荧光体的制备及其光致发光性质
- 该论文主要研究了CaSO<,4>:Eu荧光体的光致发光性质.主要内容有三部分构成:由CaSO<,4>:Eu荧光体的合成条件探索了Eu在CaSO<,4>中的存在价态、Eu<'2+>的还原 CaSO<,4>:Eu中共掺其他金属离子研究了他们对Eu<'2+>的发光性能的影响;利用柠檬酸自燃烧法及丙烯酚胺高分子网络凝胶法对CaSO<,4>:Eu荧光体进行表面处理.结合FLXRD、UV等测试手段得到如下结论....
- 作者：熊娟专业：物理化学分类号：O644.1;TQ125.14导师：余锡宾单位：上海师范大学
- 高发光的金属有机配合物的光致发光及电致发光
- 根据自旋统计理论,单线态发光材料的电致发光极限效率为25﹪,而采用高发光效率 的三线态材料,则有望突破这一效率极限,从而使器件的效率至少提高三倍.基于此目的,我们选用了几种具有高效率的三线态发光的过渡金属配合物,Cu<,4>(C≡CCph)<,4>L<,2>,Au<,2>(dppm)<,2>(SO<,3>F<,3>)<,2>和Au<,2>(dppm)CL<,2>.通过对这类三线态材料电致 发光性质....
- 作者：周雪梅专业：高分子化学与物理分类号：O63导师：沈家骢;马於光单位：吉林大学
- 热氧化法制备的纳米氧化锌及其掺氮薄膜的特性研究
- ZnO具有六角纤锌矿结构,室温下禁带宽度为3.34 eV,且激子束缚能高达60 meV,是一种重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.由于激子束缚能比室温热离化能26 meV大得多,更易在室温下实现高效的激子发射,此外,其生长温度几乎比GaN低一倍,这就在很大程度上避免了因高温生长而导致膜与衬底间的原子互扩散,因此,ZnO已成为宽带隙半导体材料研究热点之一.该文介绍了一种新的制备纳米ZnO薄膜的方法,即通....
- 作者：王丹专业：理论物理分类号：TB383导师：刘益春单位：东北师范大学
- 电子束蒸发制备纳米氧化锌掺铝薄膜及其光电性质研究
- 氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,室温下带隙宽度高达3.3 eV.由于氧化锌具有较高的激子束缚能(60meV),保证了其在室温下较强的激子发光,因而被认为是制作紫外半导体激光器的合适材料.自1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来,ZnO研究已成为继GaN之后紫外发射材料研究的又一研究热点.而近年来ZnO薄膜作为ITO薄膜的替代材料,成为透明导电薄膜的新宠,正引起人....
- 作者：骆英民专业：粒子物理与原子核物理分类号：TN304.055导师：刘益春单位：东北师范大学
- 多孔硅/共轭聚合物复合物光致发光研究
- 该课题以制备、组装新型发光器件为出发点,以有机共轭聚合物为主体,制备发光多孔硅为发光中心、合成可溶性聚硅烷为空穴传输层,并研究掺杂富勒烯对多孔硅的改性,聚9-乙烯基咔唑,聚硅烷等可传导空穴的共轭聚合物与发光多孔硅之间的复合作用及其对多孔硅发光的影响.
- 作者：黄越专业：高分子材料分类号：TB324导师：潘道成单位：上海交通大学
- 等电子陷阱及其相关合金材料的光学性质研究
- 该论文主要进行的研究内容以及目前取得的主要研究结果有以下方面:□ZnSTe合金;研究了四块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.005到0.031)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的两块样品观察到两个发光峰,分别来自Te<,1>和Te<,2>等电子陷阱;而对Te组分较大的两块样品则只观察到一个来自Te<,2>等电子陷阱的发光.对Te组分为0.031的样品在常温下还观察到来自Te<,3....
- 作者：方再利专业：凝聚态物理分类号：O49导师：李国华单位：中国科学院半导体研究所
- 纳米氧化铝膜板的光致发光特性的研究、纳米硫化铅/氧化铝阵列体系的制备与光学性质
- 该论文采用电化学的二次腐蚀的方法制备了氧化铝有序孔洞阵列模板,探索了胶体粒子浸泡法、均相反应法在氧化铝模板的孔洞中生长半导体PbS的纳米颗粒,从而制备 出纳米PbS/Al<,2>O<,3>复合阵列体系.利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对氧化铝有序孔洞模板和纳米PbS/Al<,2>O<,3>复合阵列体系的形貌进行了观察,并用X射线衍射(XRD)、电子散射....
- 作者：陈俊专业：凝聚态物理分类号：O4导师：蔡维理单位：中国科学技术大学
- ZnSe薄膜的喇曼光谱和激子光谱
- 该文采用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了厚度从0.045μm到1.4μm的ZnSe薄膜.X射线衍射谱证实,随着薄膜厚度的增加,应变逐步驰豫.利用Raman散射分析ZnSe薄膜的应变变化和薄膜的关系.测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱,观察到轻重空穴的在不同应变下的分裂、移动和反转,以及激子极化激元(Polariton)对反射谱的影响,也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律.
- 作者：盛传祥专业：凝聚态物理分类号：O484.1导师：黄大鸣单位：复旦大学
- 预测控制的线性方法、非线性方法和神经网络方
- 高层建筑结构分析的奇异函数方法
- 新型转式垃圾焚烧炉的设计和焚烧特性的研究
- 视网膜血管形态识别与血管管径量化的研究
- 含高浓酚、硫炼油碱洗废水治理技术的工程化研
- 斐波那契类准周期超晶格的光学及电子性质理论
- 加工-装配式生产系统组织与优化
- 图像、视频压缩编码方法以及网络实时视频监控
- 气体进入聚合物熔体时的界面形态与运动分析
- 微波辐射下壳聚糖的化学改性及其应用研究
- 混沌控制方法与同步技术的研究
- 永磁同步电动机混沌模型及其混沌现象分析与控
- 输电网络规划优化方法及其DSS的体系结构研
- 转基因鱼腥藻7120质粒稳定性研究及rhT
- 面向ITS的高速公路网交通分配与入口匝道控
- 混沌机理及其在通信中应用的研究
- 波控CO<,2>焊恒流等熔深智能控制的研究
- W-CDMA系统用户检测技术的研究
- 高性能丙烯聚氨酯涂料及其涂膜干燥模型的研究
- CO<,2>与聚合物熔体的两相流动力学
- 闽海系民居建筑与文化研究
- 新型脱丙酮型室温硫化硅橡胶的研究及其在耐热
- 新型电活性聚有机二硫化物的电化学
- 模糊神经网络与ATM交换结构的研究
- 双固相吸附剂及其液相色谱分离过程研究