- Sol-gel法制备ZnO薄膜及ZnO基的稀磁半导体
- 近年来，由于ZnO光泵浦紫外激射现象的发现，使得ZnO成为一种新型的光电材料而受到人们的瞩目.该文利用Sol-gel法成功的制备出具有c轴取向的透明ZnO薄膜，发现不同衬底上的ZnO薄膜都呈现c轴取向，且随着灼烧温度的升高，Si衬底的ZnO薄膜的c轴取向性变好，该取向性受灼烧气氛的影响较小.通过对不同条件制备的ZnO薄膜的光致委光谱的测量，我们发现在氧气氛下灼烧的Si衬底上的ZnO薄膜由于缺陷太多....
- 作者：徐晓峰专业：微电子学与固体电子学分类号：TN304.055导师：张荣;修向前单位：南京大学
- 稀土功能材料的分子设计、合成、构效关系及其光致发光、电致发光性质的研究
- 该论文包括稀土功能配合物的合成、表征及其光致发光、电致发光的研究.主要内容有：1.设计合成了十四个能够与稀土配位的具有不同取代基团的邻菲罗啉衍生物及四十二个稀土配合物.2.详细地研究了不同类型的铕配合物,尤其是β-二酮的三元混配配合物的光致发光性质.3.在光致发光研究的基础上,选择六个不仅具有很强光致发光性能,同时又兼具有电子、空穴传输性能的铕β-二酮的三元混配配合物,作为红色发光材料应用于电致发....
- 作者：卞祖强专业：化学、无机化学分类号：O61导师：金林培;王科志单位：北京师范大学
- 非放射性长余辉材料和光致变色材料的研究与应用
- 长余辉发光材料是当代显示技术中广泛使用的一种有效的发光材料.它的激发光源广泛,性能稳定,制备工艺简单;无机光致变色材料是一种新型的光色材料,其热稳定性高,可逆性好,耐候性强,容易合成.在目前显示材料研究领域中,这两种新型应用材料都占有非常重要的位置.该论文是北京市教委科技发展计划基金资助课题的一部分研究内容.围绕稀土元素,开展了对长余辉发光材料及无机光致变色材料较为系统的研究工作.
- 作者：周威专业：应用化学分类号：TB381导师：孙家跃单位：北京工商大学
- 新型稀土配合物的合成及光致、电致发光性质的研究
- 该论文设计具有优良电子传输性能和发光效率的有机稀土配合物发光材料出发,合成了5个系列的新型稀土Eu(Ⅲ)配合物,并从结构方面阐述了某些新型配体的配位性能,详细讨论了配合物发光性能与其组成及结构的关系.在对这些配合物进行光致发光研究的基础上,初步测定了部分配合物的电致发光性能,并从电子传输和发光量子效率方面对配合物材料进行了评价,取得了较有意义的实验结果.
- 作者：侯彦辉专业：无机化学分类号：O641.4导师：杜晨霞单位：郑州大学
- 硫化钙在铕激活下的发光性能的研究
- 该文从理论和实验两个角度出发,介绍了采用高温固相反应法制备CaS:Eu粉末荧光发光材料的方法.在进行了大量的实验的基础上,通过理论分析和实验结果的比较,分析了实验中出现的问题,提出了解决问题的办法,制备出了以硫化钙为基质,铕为激活剂,钾和镝为共激活剂的了CaS:Eu、K、Dy荧光发光材料,并确定了制备发光材料的原料的较佳的配比以及反应时间和反应温度. 该文对影响CaS:Eu粉末荧光发光材料发光的因....
- 作者：费朝阳专业：供热供燃气通风及空调工程分类号：TN383导师：李宝骏单位：沈阳建筑工程学院
- 用离子注入法制备的纳米硅的光致发光特性研究
- 该文较系统地介绍了纳米硅体系的可见和近红外发光,研究了用离子注入法制备的纳米硅的光致发光特性,同时介绍了取得的一些研究结果.采用石英晶体薄片和非晶高纯石英薄片作为衬底,用高能离子注入机以不同注入剂量和不同注入能量分别把Si<'+>注入到衬底中,经过高温退火进行重新结晶后形成纳米硅样品,部分样品又经过氢气钝化处理.纳米硅样品的测量结果表明:在激光照射下,纳米硅样品具有明显的光致发光现象,而且随着激发....
- 作者：张健专业：微电子学与固体电子学分类号：TN201;TB383导师：张德骏单位：山东大学
- 多孔硅形成机理及其荧光特性的研究
- 该文首先通过电化学方法、光化学方法和化学方法分别制备出了室温下在可见光区发射光荧先的多孔硅,通过对实验装置、制备条件、样品的咸膜过程及其光致发光(PL)光谱的比较,分析解释了其成膜机理和PL光谱的特点,认为虽然这三种方法都可以制备出室温下发光的多孔硅,但相比较而言,通过电化学方法制备的样品最均匀,实验的可重复性较强,因而是被普遍采用的一种方法.另外在多孔硅的咸膜过程中,自由载流子起着至关重要的作用.
- 作者：王晓静专业：物理电子学分类号：TN304.055;O484.41导师：李清山单位：曲阜师范大学
- 365nm紫外光激活的粉体防伪材料的合成与性能
- 该论文是北京市教委科技发展计划基金资助课题的一部分研究内容.我们在全面了解光致发光材料研究现状的基础上,开展了对365nm紫外光致发光防伪材料较为系统的研究工作,合成了Sr<,4>Si<,3>O<,8>Cl<,4>:Eu<'2+>、Y<,2>SiO<,5>:Ce<'3+>,Tb<'3+>、Y<,2>O<,2>S:Eu<'2+>和CaAl<,2>O<,4>:Mn<'2+>,Mg<'2+>等四个系列荧....
- 作者：刘洁专业：应用化学分类号：TN383.2;TB383导师：孙家跃单位：北京工商大学
- ZnO薄膜的制备及发光特性的研究
- ZnO是一种宽禁带半导体材料,为六方晶体(纤锌矿)结构,与GaN的晶格结构相同,晶格常数(a轴)相差不大,热膨胀系数(垂直于c轴方向)十分接近.室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV左右,具有60meV的激子束缚能,从而大大提高了ZnO材料的激发发射机制,降低了ZnO的激射阈值,其光泵浦紫外激光的获得使ZnO成为热门的新型光电材料.再加上ZnO薄膜制备简单,成本低,它可能成为继GaN之后的又一理想的....
- 作者：王卿璞专业：凝聚态物理分类号：TN304.055;TN304.21导师：张德恒单位：山东大学
- 氮化镓薄膜的制备与特性研究
- 在该论文中,我们首次采用后氮化法在不同衬底上制备出GaN薄膜,详细叙述了薄膜的制备过程,探索了薄膜的制备条件和工艺参数,并研究了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光特性,以及衬底材料、制备条件和测试条件对薄膜性质的影响.初步探讨了薄膜的生长机制和发光机制.第一章中介绍了GaN薄膜的应用和制备方法,描述了GaN的研究现状及课题选取的原因.随着对GaN材料研究的深入和制备技术的不断发展,其应用领域将不断扩....
- 作者：杨莺歌专业：凝聚态物理分类号：TN304.055;TN304.26导师：马洪磊;薛成山单位：山东大学
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