- 用于制备光子晶体的SiO<,2>颗粒小球化学合成及自组织晶化的研究
- 该论文主要探索了3D可见光波段的光子晶体的制备及结构分析,首先我们用化学溶胶合成法制备了亚微米尺寸的高单分散性的SiO<,2>小球,并进行尺寸选择,进一步提高其单分散性,这为下一步的小球自组织晶化作好了基础.接着,对制备好的高单分散性的SiO<,2>小球进行自组织晶化成3维有序结构,为制备光子晶体提供了模板.同时,我们结合制备CdS等Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米颗粒的技术,制备了CdS/SiO<,2>的复合结构,并探索了由CdS/SiO<,2>结组装成3维光子晶体的实验途径.
- 作者：李明海专业：微电子学与固体电子学分类号：O572.31导师：陈坤基单位：南京大学
- 具有有机无机复合结构的氢化非晶碳化硅薄膜的发光性质研究
- 该论文采用C<,8>H<,10>作为C源,在PECVD系统中制备了具有有机无机复合结构的a-SiC:H薄膜材料.对这种复合结构材料的微结构特性、有机--无机复合的光致发光和电致发光特性进行了系统的研究.主要内容包括:1.通过红外光谱、X射线光电子谱等方法,详细的分析了用C<,8>H<,10>制备的a-SiC:H材料的结构.2.在室温下研究人员观察到了用C<,8>H<,10>制备的a-SiC:H薄膜....
- 作者：马天夫专业：凝聚态物理分类号：O4;TB32导师：陈坤基单位：南京大学
- Ⅱ-Ⅵ族胶体半导体量子点和复合结构的制备、化学组装及其光电性质研究
- 半导体量子点，具有明显的量子尺寸效应和表面效应，最近几年已经成为人们研究的热点.有胶体化学方法制备的Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点，由于其样品制备简单，单分散性好，尺寸效应明显，具有很好的发光特性和光学非线性，使胶体量子点在发光器件、单电子器件和非线性光学器件等方面显示出广阔的应用前景.在该论文中，选择具有直接带隙结构的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体为研究对象，首先采用胶体化学的方法制备了CdSe半导体胶体量子点，研....
- 作者：马懿专业：物理系微电子学与固体电子学分类号：O484;TN304.12导师：陈坤基单位：南京大学
- 不对称SiO<,2>/nc-Si/SiO<,2>双势垒纳米结构中的电子共振隧穿
- 该论文首次提出并实现利用逐层(layerbylayer）nc-Si生长技术和等离子体氧化技术在等离子体增强化学气相淀积（PECVD）系统中原位制备了不对称SiO<,2>/nc-Si/SiO<,2>的纳米结构，利用变频电容电压（C-V）测量技术，研究该纳米结构中的载流子通过超薄SiO<,2>层的隧穿现象以及由于电子共振隧穿到纳米硅晶粒中引起的电容峰，并在室温下观察到了纳米硅晶粒中的量子限制效应和库仑阻塞效应.
- 作者：石建军专业：物理系微电子学与固体电子学分类号：TN304.12导师：陈坤基单位：南京大学
- 高氢稀释PECVD制备的μc-Si:H和μc-SiGe:H薄膜的微结构及电学输运性质研究
- 该研究工作采用氢稀释硅烷和锗烷(定义氢稀释度R=[H<,2>]/([SiH<,4>]+[GeH<,4>]))作气体源,由PECVD制备一系列μc-Si:H、μc-SiGe:H薄膜样品,与常规不同的是,该论文利用高氢至超高氢稀释(R=50~500)的硅烷和锗烷制备大家的样品.由X射线衍射(XRD)和激光喇曼散射(Raman)实验表明,晶态在薄膜中占主要成分(>70％),平均晶粒尺寸随淀积条件不同分布....
- 作者：黄少云专业：微电子与固态电子学分类号：TN304.055导师：陈坤基单位：南京大学
- 单层定域纳米硅的制备及其性质研究
- 硅基纳米电子器件的研究由于其在未来微电子学和纳米电子学中的巨大潜在的应用前景,正日益受到广泛的重视.作为其中最重要的一步,超薄、单层、定域的纳米硅(nc-Si)薄膜材料的制备和性质研究已成为近年来半导体材料物理研究领域的一个热点.该文从激光干涉晶化技术出发,探索出一条制备尺寸可控、单层、定域nc-Si的方法.为下一步制备性能良好的纳米电子器件作了准备.该文的主要内容如下:(1)利用激光诱导晶化的方....
- 作者：李健专业：微电子学和固态电子学分类号：TN304导师：陈坤基单位：南京大学
- Ⅱ-Ⅵ族胶体半导体量子点的电子结构及光学性质
- 我们从理论和实验两个方面对Ⅱ-Ⅵ族胶体半导体量子点进行了研究.研究内容可分为两个部分.第一部分(第二、三章)主要从紧束缚近似模型出发研究Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的电子结构,着重计算HOMO-LUMO跃迁能量;第二部分(第四、五章)主要是Ⅱ-Ⅵ族胶体半导体量子点的制备、表征和光学性质的研究.研究结果主要有:1.我们紧束缚近似(TBA)的框架下,sp<'3>s*模型从闪锌矿结构扩展到纤锌矿结构,从首次在同....
- 作者：黄宏彬专业：凝聚态物理分类号：O472.3导师：冯端;陈坤基单位：南京大学
- Si/SiO<,2>多层膜体系光致发光中的物理问题研究
- 该文选择目前国内外研究得最多的纳米硅/硅氧化物系统中光发射的物理问题作为研究对象.结合该小组以前对a-Si:H/SiN<,X>多层膜限制性晶化的研究工作,在等离了增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）系统中,采用生长a-Si:H层和原位等离子体氧化相结合逐层生长的方法,制备出a-Si:H/SiO<,2>多层膜,探索了一条目前国际上尚未见报导的....
- 作者：马忠元专业：凝聚态物理分类号：O462导师：冯端;陈坤基单位：南京大学
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