关于受干扰的古典模型和纯扩散模型的一些新结果
该论文主要讨论了两类风险模型:受干扰的古典模型和纯扩散模型.对于干扰模型,论文给出了破产概率的明确表达式,当索赔是指数分布时得到了众所周知的破产概率,论文还给出了古典模型和干扰模型的数值比较.对于扩散模型,只得到了破产概率以及破产前的极大值人布的拉谱拉斯变换.此外,论文还给出了古典模型、干扰模型以及扩散模型的林德伯格指数比较.
作者：柳太胜专业：概率论与数理统计分类号：O213;F830.5导师：吴荣单位：南开大学
古典风险模型在多发点过程上的推广
该论文针对日常生活中经常出现的同一时刻有多闪索赔发生的情况,提出了由多发点过程构造的风险模型,并在给出了此模型的转化方法的基础上将其与古典风险模型进行了调节系数、破产概率、负盈余持续时间等多方面的比较.
作者：吴学渊专业：概率论与数理统计分类号：O213;F830.5导师：吴荣单位：南开大学
1990-1998年我国社会发展综合评价分析
该论文首先对社会发展理论与社会指标的产生与发展进行全面回顾;其次,对比分析三种影响较大的社会发展评价方法,阐明了各自的长处与不足.根据新发展观的内涵构建评价指标体系.第三,运用多元统计分析方法对1990--1998年中国社会发展进行了实证分析,建立了综合评价因子模型,计算出各地区社会发展的因子得分及总得分,从而综合分析中国社会发展的总体状况及主要特征.分析结果表明:中国社会发展的综合差异体现在六个....
作者：安新莉专业：概率论与数理统计分类号：O213导师：吴荣单位：南开大学
NA随机变量的极限定理及风险分析中的若干问题
在该论文中我们对不要求强平稳或同分布的NA随机变量列进行了多方面的研究:首先对NA列建立了一组具有NA特点的关于最大部分和的Fuk-Nagaev型概率不等式及其关于某一类特定函数的矩不等式,它们在后续给出的极限定理的证明中发挥着重要作用;研究了具有不同分布的NA列的强收敛性,给出了NA列强大数律成立的若干条件,特别建立了一般NA列对数律成立的充分必要条件,在二阶矩存在的条件下完整的解决了一般NA列....
作者：刘立新专业：概率论与数理统计分类号：O211.4;F840导师：吴荣单位：南开大学
Markovian环境下的一类Cox风险模型
该论文以Cox计数过程强度的变化为主线展开讨论,主要研究了Marko-vian环境下的一类Cox风险模型.在这里我们可以认为古典风险模型(即复合Poisson模型)是最特殊的一类Cox风险模型.导论由三部分组成:(1)风险理论方面的一些背景简介;(2)论题的历史概述;(3)论文的内容提要.导论之后就是论文的主体部分,它包括以下内容:在该论文的最后一章,我们对保险公司在金融资本市场有一定风险投资的随....
作者：魏丽专业：概率论与数理统计分类号：O211.9导师：吴荣单位：南开大学
Cox风险模型的Poisson逼近
该文在平稳风险强度过程{λ(t)}t≥0遍历且有界的情况下,证明了以{λ(nt)}t≥0为索赔风险强度的Cox风险过程弱收敛于古典风险过程,进一步我们可以得到Cox风险模型的有限时破产概率及最终破产概率分别收敛于古典风险模型的相应参数.λ为有界平稳独立跳强度过程是上述情形的一个特例.同时我们应用分析的方法证明了当λ为有限状态平稳独立跳强度过程时,Cox风险模型的Lundberg指数收敛于古典模型的Lundberg指数.由此,我们解决了Grandell(1991)中的一个猜测.
作者：林建希专业：概率论与数理统计分类号：O211.6;F840导师：吴荣单位：南开大学
几种更新风险模型
该文考虑的基本模型为更新风险模型(或有的文献称为Anderson模型),我们研究了下面四类问题:1)古典风险模型的有限时间破产概率.该文第二章得到无限时破产概率和有限时间破产概率满足的积分方程.直接从无限时破产概率表达式推导出有限时破产概率表达式,得到F.De Vylder,M.Goovaerts(1999)的结果.2)更新模型中的Schmitter问题.Schmitter问题是指在期望和方差固定....
作者：杜勇宏专业：概率论与数理统计分类号：O211导师：吴荣单位：南开大学
高速并行光发射机、接收机电路与模块研制
该报告总结了作者做博士后期间参与的工作,即课题组在申请十五863前后两年多时间的工作,分以下几部分:1.垂直腔面发射激光器(VCSEL)电路模型的建立.为了进行驱动电路的设计,一个VCSEL的电路模型是有意义的,分析了VCSEL的小信号电路模型和调制特性,用解析计算和电路模型模拟两种方法得到VCSEL的小信号电路模型,解析计算和电路模型模拟的结果一致,实验证实了电路模型的正确性.2.激光驱动器是光....
作者：毛陆虹专业：微电子学与固体电子学分类号：TN248导师：吴荣汉单位：中国科学院半导体研究所
GaAs基长波长垂直腔接收器件的研究
垂直腔光电子器件易于平面集成、在线测试和高效率光纤耦合,是一种重要的器件类型.GaAs基垂直腔器件由于可用具有大折射率差的GaAs/A1GaAs制备DBR,并可与GaAs基诸多材料进行一次性外延生长成型,所以在与各种材料系的垂直腔器件对比中具有相当的优越性.但是由于受到材料制备技术的限制,在相当长的一段时间内,器件的工作波长一直限制在1200nm以短.自从1996年GaInNAs材料问世以后,Ga....
作者：杨晓红专业：材料科学与工程分类号：TN304导师：吴荣汉单位：中国科学院半导体研究所
GaAs基垂直腔型表面发射和接收光电子器件
该论文结合课题组承担的国家863、973及重大基金项目,对GaAs基垂直腔型表面发射和接收光电子器件以及光电集成模块及相关物理,进行了深入系统的理论和实验研究,器件波长波及850nm、980nm、1064nm和1310nm波段.具有一定开拓创新意义的主要结果如下:1.围绕器件结构及性能优化,对GaAs基多量子阱垂直腔型光子器件的共有特性进行综合的理论研究.包括引入等效腔长概念简化多层结构分析;通过....
作者：梁琨专业：微电子学与固体电子学分类号：TN21导师：吴荣汉单位：中国科学院半导体研究所
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