- Ⅱ-Ⅵ族胶体半导体量子点的电子结构及光学性质
- 我们从理论和实验两个方面对Ⅱ-Ⅵ族胶体半导体量子点进行了研究.研究内容可分为两个部分.第一部分(第二、三章)主要从紧束缚近似模型出发研究Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的电子结构,着重计算HOMO-LUMO跃迁能量;第二部分(第四、五章)主要是Ⅱ-Ⅵ族胶体半导体量子点的制备、表征和光学性质的研究.研究结果主要有:1.我们紧束缚近似(TBA)的框架下,sp<'3>s*模型从闪锌矿结构扩展到纤锌矿结构,从首次在同....
- 作者：黄宏彬专业：凝聚态物理分类号：O472.3导师：冯端;陈坤基单位：南京大学
- 氧化铝纳米管
- 该文全面阐述了直型和分叉型氧化铝纳米管(aluminananotubes,ANTs)的原创性可控制务;并在大量的TEM观察成功地建立了氧化铝纳米管的形成机制以及分叉型氧化铝纳米管的分叉机制.研究表明多孔氧化铝薄膜(anodicporousalumina,APA)中结构缺陷——微裂纹(micro-cracks),空洞(voids)倾斜的(tilt)、生长迟缓(stagnant)的和具有不规则俯视截面....
- 作者：濮林专业：凝聚态物理分类号：TG146.21导师：冯端;鲍希茂单位：南京大学
- 硅基碳化硅薄膜的制备、结构和发光特性研究
- 该文用脉冲激光沉积在硅片上制备了一层约300nm厚的碳化硅薄膜,通过红外吸收谱、高分辨率电镜观测、光致发光谱和光致发光激发谱的研究分析揭示了这种硅基碳化硅薄膜材料的结构和发光性质.获得的主要结论如下：1.制备出的薄膜是含有β-SiC晶粒的SiC多晶膜,其中还含有少量非化学剂量比的SiO<,x>和一些Si晶粒.2.在氙灯370nm波长光激发下,得到了峰位在471nm和435nm的两个发光峰.3.监控....
- 作者：谭超专业：凝聚态物理分类号：O484导师：吴兴龙;冯端单位：南京大学
- Si/SiO<,2>多层膜体系光致发光中的物理问题研究
- 该文选择目前国内外研究得最多的纳米硅/硅氧化物系统中光发射的物理问题作为研究对象.结合该小组以前对a-Si:H/SiN<,X>多层膜限制性晶化的研究工作,在等离了增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）系统中,采用生长a-Si:H层和原位等离子体氧化相结合逐层生长的方法,制备出a-Si:H/SiO<,2>多层膜,探索了一条目前国际上尚未见报导的....
- 作者：马忠元专业：凝聚态物理分类号：O462导师：冯端;陈坤基单位：南京大学
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