[TiMing]：GaoSuChenJiWenDingQingHuaFeiJingGuiBaoMoYuFeiJingGuiTaiYangDianChiXianGuangJieGouDeJiSuanJiMoXing
[作者]：麦耀华[ZuoZhe]：MaiYaoHua[专业]：微电子学与固体电子学[ZhuanYe]：WeiDianZiXueYuGuTiDianZiXue
[导师]：耿新华[DaoShi]：GengXinHua[学位]：硕士[XueWei]：ShuoShi
[单位]：南开大学[DanWei]：NanKaiDaXue
[关键词]：非晶硅薄膜;高速沉积;调制作用;氧掺杂作用;陷光结构
[时间]：20020501[页数]：58页[点击]：20042[分类号]：TN36;TM914[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：要提高非晶硅太阳电池的普及率,我们必须降低非晶硅太阳电池的生产成本,提高非晶硅太阳电池的稳定效率,基于这两个目的,作者开展了以下的工作.一、高速生长稳定的非晶硅材料.我们首先对等离子体辉光放电法的各个沉积条件对薄膜的生长速率和稳定性的影响进行了理论分析,然后制订出一个可行的方案.通过对等离子体辉光光谱的监测和分析,我们证实了随着工作气压的增大,电子的温度也随之下降.并且发现在低气压底下,增加功率对电子温度的提高比高气压下更加明显.二、在相变区沉积高稳定性的非晶硅薄膜材料 通过提高氢稀释率,可以使材料从非晶向微晶转变,在相变区域,随着氢稀释率的提高,材料的暗电导和光敏性发生急剧的变化,材料很快向微晶过渡,也就是说,相变区是一个很窄的区域.对于微晶硅材料,我们发现功率的提高有利于抑制氧的施主掺杂作用,从而提高材料的光敏性.三、非晶硅太阳电池陷光结构的计算机模型.为了更真实地模拟非晶硅太阳电池的陷光结构,我们在分析陷光结构的表面形貌后,对陷光结构提出一个新的模型,并用这个新的模型进行计算和分析折射率、形貌等参数对陷光效果的影响.通过计算,我们找出这些参数的最佳值,再用这些值对陷光结构进行优化.
[上一条]：铜铟硒薄膜太阳电池的材料研究
[下一条]：变性淀粉污水的好氧、厌氧生物处理研究