[TiMing]：GaAsJiXinXingBanDaoTiCaiLiaoDeMOCVDShengChangJiQiZaiGuangDianZiQiJianZhongDeYingYongYanJiu
[作者]：韦欣[ZuoZhe]：WeiXin[专业]：微电子学与固体电子学[ZhuanYe]：WeiDianZiXueYuGuTiDianZiXue
[导师]：陈良惠;马骁宇[DaoShi]：ChenLiangHui;MaZuoYu[学位]：博士[XueWei]：BoShi
[单位]：中国科学院半导体研究所[DanWei]：ZhongGuoKeXueYuanBanDaoTiYanJiuSuo
[关键词]：MOCVD生长;GaAs基材料;生长参数;GaInNAs;量子阱
[时间]：20020601[页数]：97页[点击]：20042[分类号]：TN304.23[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：该论文的研究内容不仅包括目前应用广泛的GaAs、AlGaAs、InGaAs和AlGaInP材料的MOCVD生长,并且,为了拓展GaAs基材料的应用范围,对新型的GaInNAs材料进行了较深入的研究.该论文的主要内容包括：（1）研究了在GaAs衬底上进行的GaAs,AlGaAs,InGaAs和AlGaInP材料的MOCVD生长.针对各种材料的不同特点以及在实际器件应用中的不同要求,讨论了生长条件对GaAs的本底杂质浓度,AlGaAs中的O沾污,InGaAs/GaAs量子阱的波长和质量,AlGaInP材料的有序度的影响;（2）研究了各种生长参数对GaNAs材料中的N含量的影响.提出采用TEGs作为Ga源进行生长不仅有利于降低外延层中的C含量,也有得抑制相分凝现象的发生.所制备的GaNAs材料中的N含量达到5.742﹪,室温光荧光谱值波长为1273nm,是目前国际的最好水平之一;（3）对在MOCVD中影响GaInNAs中N含量最重要的现象-In掺入后N含量的大幅度降低进行了深入的研究和讨论,认为In源中的甲基与N源之间的异相化学反应是造成这种现象和MOCVD生长中N源效率低下的主要原因;（4）研究了退火对Ga(In)Nas质量的影响,在生长中主要采用在位退火的方法来提高Ga(In)Nas材料的质量.在大应变的GaInNAs/GaAs量子阱的生长中,采用了逐层退火的方式抑制了应变弛缘的发生,提高了材料的质量.
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