[TiMing]：SiJiZhaiDaiRCEGuangDianTanCeQiDeYanZhi
[作者]：李成[ZuoZhe]：LiCheng[专业]：凝聚态物理[ZhuanYe]：NingJuTaiWuLi
[导师]：王启明[DaoShi]：WangQiMing[学位]：博士后[XueWei]：BoShiHou
[单位]：中国科学院半导体研究所[DanWei]：ZhongGuoKeXueYuanBanDaoTiYanJiuSuo
[关键词]：Si材料;RCE光电探测器;Bragg反射器;e_b结
[时间]：20020101[页数]：47页[点击]：20042[分类号]：TN382[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：多孔硅发光、SiGe量子结构发光、硅化物发光以及光电探测器等方面都取得了不同程度的进展,其中应变SiGe电子器件与光电子器件成为主要的研究内容.该文正是在此背景下研制了Si基共振腔结构光电探测器以及异质结光敏晶体管.研究了制作长波长Si基光电探测器所需的高Ge组份Si<,1-x>Ge<,x>/Si多量子阱材料的UHV/CVD生长,特别是对UHV/CVD生长应变高Ge组份SiGe材料的生长条件如生长温度的选择、二维到三维生长模式的转变、生长速率等方面进行了较为详细探索.提出并研制了Si基带隐埋DBR共振腔探测器用材料.用硅乳胶作中间层的键合和智能剥离技术条件进行了多方面的实验研究,成功制作了高反射率的带隐埋DBR的共振腔探测器材料,顶层Si的厚度由注H离子的能量决定,而隐埋反射镜的反射率可达到99﹪以上,并用它完成了器件的制作.用键合和智能剥离技术研制出短波长窄带SiRCE光电探测器,该探测器结构为将薄层Si单晶吸收层置于两个高反射率反射镜形成的谐振腔中构成的,入射光在该谐振腔中得到选择性增强.在900nm处得到了高的共振峰,峰值半高宽25nm.峰值与谷值的比达到4：1,该器件具有较好的波长选择特性.外延生长SiGe/Si MQW材料与Si基SiO/<,2>Si Bragg反射器以硅乳胶作中间层键合,制作出窄带工作于1300nm的共振腔型光电探测器.首次研制了SiGe异质结光电晶体管,该器件以置于集电极与基极间的SiGe/Si MQW作吸收区,以Si/SiGe异质结构作e-b结.
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