[TiMing]：ShuiDengLiZiTiLiZiZhuRuXingChengSOIJieGouCaiLiaoDeYanJiu
[作者]：陈静[ZuoZhe]：ChenJing[专业]：材料物理与化学[ZhuanYe]：CaiLiaoWuLiYuHuaXue
[导师]：王曦[DaoShi]：WangZuo[学位]：博士[XueWei]：BoShi
[单位]：中国科学院上海微系统与信息技术研究所[DanWei]：ZhongGuoKeXueYuanShangHaiWeiXiTongYuXinXiJiShuYanJiuSuo
[关键词]：SOI;离子注入;等离子体;注氧隔离
[时间]：20020601[页数]：113页[点击]：20042[分类号]：TN304.12[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：、HO<'+>和O<'+>质量数相差很小,克服了氧等离子体中因O<,2><'+>和O<'+>质量数相差大而引起的氧在硅中的分布弥散,使注入硅后的氧射程分布相对集中,比较容易退火后形成SOI结构材料.我们使用无质量分析器的离子注入机,模拟等离子体离子注入过程,成功地在该注入机上用水等离子体离子注入制备出了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好,埋层厚度均匀的薄型SOI材料.该论文还系统地研究了不同注入剂量、注入能量、注入时基底温度以及退火温度对所形成SOI结构性能的影响,借助XTEM、SIMS、SRP、RBS、IR、Raman、AES、XPS等测试分析手段,我们发现,与传统注氧隔离(SIMOX)技术类似,存在着"剂量窗口"形成优质的SOI材料,但在水等离子体离子注入方式中SOI材料结构质量对剂量变化更为敏感.该论文一个重要发现是以水等离子体离子注入方式所形成埋层SiO<,2>厚度得到了大幅度的展宽,相比传统SIMOX法,其展宽幅度高达50﹪,这一重要发现为降低注入时间和SOI制备成本提供了有效的途径.'>该论文创造性地采用水等离子体离子注入方式代替传统的氧离子注入方式来制备SOI结构材料,由于水等离子体中的三种离子H<,2>O<'+>、HO<'+>和O<'+>质量数相差很小,克服了氧等离子体中因O<,2><'+>和O<'+>质量数相差大而引起的氧在硅中的分布弥散,使注入硅后的氧射程分布相对集中,比较容易退火后形成SOI结构材料.我们使用无质量分析器的离子注入机,模拟等离子体离子注入过程,成功地在该注入机上用水等离子体离子注入制备出了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好,埋层厚度均匀的薄型SOI材料.该论文还系统地研究了不同注入剂量、注入能量、注入时基底温度以及退火温度对所形成SOI结构性能的影响,借助XTEM、SIMS、SRP、RBS、IR、Raman、AES、XPS等测试分析手段,我们发现,与传统注氧隔离(SIMOX)技术类似,存在着"剂量窗口"形成优质的SOI材料,但在水等离子体离子注入方式中SOI材料结构质量对剂量变化更为敏感.该论文一个重要发现是以水等离子体离子注入方式所形成埋层SiO<,2>厚度得到了大幅度的展宽,相比传统SIMOX法,其展宽幅度高达50﹪,这一重要发现为降低注入时间和SOI制备成本提供了有效的途径.
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