[TiMing]：GaAs（001）ChenDiShangAlAsHuanChongCengBiaoMianDuiGaNShengChangDeYingXiang
[作者]：万里[ZuoZhe]：WanLi[专业]：凝聚态物理[ZhuanYe]：NingJuTaiWuLi
[导师]：周均铭;段晓峰[DaoShi]：ZhouJunMing;DuanXiaoFeng[学位]：博士[XueWei]：BoShi
[单位]：中国科学院物理研究所[DanWei]：ZhongGuoKeXueYuanWuLiYanJiuSuo
[关键词]：分子束外延;透射电子显微镜;原子力显微镜;GaN;AlAs;AlN
[时间]：20020501[页数]：60页[点击]：20042[分类号]：TN304.01[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：该论文主要采用了透射电子显微技术研究了射频源分子束外延系统（RF-MBE）在GaAs（001）衬底上先外延AlAs缓冲层再生长的GaN薄膜,并分析了AlAs缓冲层及其表面氮化对GaN薄膜生长的影响,获得了一些新的结果.1.研究了AlAs和GaAs表面对GaN不同相结构的选择生长.2.比较分析了GaAs和AlAs层表面初始氮化层的差异.3.研究了AlAs缓冲层表面氮化对所生长的GaN薄膜晶体质量的影响.4.在氮化的AlAs表面上,外延几个原子层的低温AlN缓冲层可以降低其后所生长的GaN薄膜中马赛克结构.
[上一条]：新型紫外、深紫外非线性光学材料的特性表征和应用前景评估
[下一条]：MgB<,2>中的Josephson效应和单电子隧道效应及铁磁/超导点接触的自旋极化隧道谱研究