透明导电In<,2>O<,3>:Sn和ZnO:A1薄膜的制备及其特性研究-黄佳木-毕业论文
[题名]：透明导电In<,2>O<,3>:Sn和ZnO:A1薄膜的制备及其特性研究
[TiMing]：TouMingDaoDianIn<,2>O<,3>:SnHeZnO:A1BaoMoDeZhiBeiJiQiTeXingYanJiu
[作者]：董建华[ZuoZhe]：DongJianHua[专业]：材料学[ZhuanYe]：CaiLiaoXue
[导师]：黄佳木[DaoShi]：HuangJiaMu[学位]：硕士[XueWei]：ShuoShi
[单位]：重庆大学[DanWei]：ZhongQingDaXue
[关键词]：透明导电薄膜;O<;In<'>3>:Sn\"/(620)")'>In<;2>O<;3>:Sn;ZnO:Al;磁控溅射;工艺参数;ZAO薄膜
[时间]：20021102[页数]：62页[点击]：20042[分类号]：TN305.92[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：该研究课题以氧化烟锡靶和氧化锌铝靶为靶材,采用射频磁控溅射工艺在纯氩气氛中沉积ITO和ZAO薄膜,靶材中SnO<,2>和Al<,2>O<,3>的掺杂比例分别为10﹪和3﹪,成膜过程中研究了各工艺参数对其结构和光电特性的影响.另外采用了在氩和氧的混合气氛中共溅射锌靶和铝靶的方法来制备铝掺杂氧化锌薄膜,铝的掺杂量由施加在铝靶上的功率大小决定.双靶共溅沉积ZAO薄膜时,氧流量和基片温度是影响薄膜特性的重要因素,随着铝靶射频功率增加,由于铝的掺杂使薄膜表面方块电阻降低,当功率为120W时,沉积的薄膜具有最小的电阻值.当功率大于120W时,功率进一步增加,薄膜的导电性变差.
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