[TiMing]：ShuangJiGaoPin、WeiBoGongLvQiJianDeYanJiu
[作者]：周蓉[ZuoZhe]：ZhouRong[专业]：微电子学与固体电子学[ZhuanYe]：WeiDianZiXueYuGuTiDianZiXue
[导师]：李肇基;胡思福[DaoShi]：LiZhaoJi;HuSiFu[学位]：博士[XueWei]：BoShi
[单位]：电子科技大学[DanWei]：DianZiKeJiDaXue
[关键词]：双极功率器件;绝缘深阱结终端;梳状集电结结构;非均匀双向镇流电阻;热敏电阻;半绝缘多晶硅膜;内匹配网络;功率增益
[时间]：20011001[页数]：117页[点击]：20042[分类号]：TN12[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：该文在分析双极高频、微波功率器件的工作特点的基础上,提出了有利于提高器件性能的新结构和新材料,详细分析了其特点和功能,完成了相关的实验工作,验得了重要的理论数据和实验数据.主要工作包括以下几个方面：针对频率与功率、功耗的矛盾,提出了绝缘深阱结终端结构的梳状集电结（基区）结构.为提高双极功率器件的可靠性,提出了非均匀双向镇流技术和V系热敏电阻过温保护技术.为减小SiO<,2>钝化层带来的负面效应,该文在充分分析SIPOS膜（半绝缘多晶硅）特性的基础上,针对双极功率器件提出两种SIPOS结构.为进一步减小寄生参数的影响,综合提高双极功率器件的输出功率、增益、效率以及宽带性能,该文对适用于双极高频、微波功率管的内匹配网络结构进行了研究,分析了输入、输出内匹配网络结构的设计方法,并完成了双极功率管DCT265的内匹配试验.
[上一条]：SAR卫星姿态测量技术
[下一条]：抑制NACK技术与基于可靠主动结点的可靠多播通信的研究