[TiMing]：GaoJiaTaiChaChanZuoYangHuaWuTouMingDaoDianBaoMoDeYanJiu
[作者]：孟扬[ZuoZhe]：MengYang[专业]：物理电子学[ZhuanYe]：WuLiDianZiXue
[导师]：华中一[DaoShi]：HuaZhongYi[学位]：博士[XueWei]：BoShi
[单位]：复旦大学[DanWei]：FuDanDaXue
[关键词]：透明导电薄膜;掺杂氧化物;掺钼氧化铟
[时间]：20010401[页数]：100页[点击]：20042[分类号]：O484;TN304.055[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：失去贡献自由载流子的作用,并且增大了对载流子的散射.'>首次引入复合效应对不同价态差的TCO薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析.随着掺杂离子与晶格间隙氧离子发生复合的几率的增大,价态差分别为3和4的TCO薄膜中的带电离子散射迁移率也随之增大,分别趋于价态差为1和2的TCO薄膜的带电离子散射迁移经.而对于价态差为3的TCO薄膜,由于电中性复合粒子数量较少,对载流子的散射最弱.因此,在复合几率较大的情况下,IMO薄膜有可能获得比ITO薄膜更高的载流子迁移率.采用反应蒸发法和采用反应直流磁控溅射法制备的SnO<,2>:Mo(TMO)薄膜的面电阻都很大,甚至会超过未掺的SnO<,2>的面电阻.可能原因之一就是复合效应使掺入的Mo<'6+>失去贡献自由载流子的作用,并且增大了对载流子的散射.
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