[TiMing]：BanDaoTiLiZiZhuRuYuLiZiChenJiDeZhengDianZiZuoMeiPuXueYanJiu
[作者]：张天昊[ZuoZhe]：ZhangTianZuo[专业]：核与粒子物理[ZhuanYe]：HeYuLiZiWuLi
[导师]：翁惠民;周先意[DaoShi]：WengHuiMin;ZhouXianYi[学位]：硕士[XueWei]：ShuoShi
[单位]：中国科学技术大学[DanWei]：ZhongGuoKeXueJiShuDaXue
[关键词]：正电子;正电子湮没谱学;离子注入;化学气相沉积;离子溅射沉积;类金刚石薄膜
[时间]：20000601[页数]：81页[点击]：20042[分类号]：O571[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：该文首先简略地介绍了正电子的产生、慢化和注入固体等过程,接着较详尽地描述正电子在固体中的扩散、捕获和湮没等一系列行为,并概括地给出了固体中正电子态的基本理论模型.在此基础上,介绍了正电子湮没学作为一种缺陷和微结构研究手段的基本原理、主要特点和常规实验方法,并对近年来实验技术的进步和发展作了综合性论述.采用正电子湮没谱学实验技术,结合电子显微镜成像和Rutherford背散射等分析手段,对高能和低能离子注入半导体硅产生的缺陷和损伤分布以及不同温度下等时退火后的变化进行了深入研究,得到了注入损伤和缺陷的深度分布规律.此外,还对化学气相沉积和离子溅射沉积制备类金刚石薄膜的实验技术、生成机制和研究状况作了广泛的调研,使用正电子湮没学实验方法研究了碳离子沉积类金刚石薄膜的质量与沉积条件的关系.
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