[TiMing]：GuiJiSiCNaMiFuHeBaoMoDeZhiBeiJiGuangZhiFaGuangYanJiu
[作者]：张静[ZuoZhe]：ZhangJing[专业]：物理学;凝聚态物理学[ZhuanYe]：WuLiXue、NingJuTaiWuLiXue
[导师]：王印月[DaoShi]：WangYinYue[学位]：硕士[XueWei]：ShuoShi
[单位]：兰州大学[DanWei]：LanZhouDaXue
[关键词]：SiC;复合薄膜;发光特性
[时间]：20030501[页数]：61页[点击]：20042[分类号]：TB383[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：该文采用射频共溅射技术在Si衬底上制备出硅基SiC和SiO<,2>复合薄膜,而后在500℃到1100℃等温度范围内进行30分钟的退火处理.在SiO<,2>中埋入纳米Si和C的复合膜和SiC-SiO<,2>复合膜的光致发光特性研究中,室温下观察到430-580nm范围内的可见光发射现象,蓝光发射主要来自SiO<,2>基质中的氧空位缺陷.C含量相对较高的样品在580nm处的黄色发光,与样品中的C团簇有关.在研究过程中,还制备了一种新的硅基发光结构,SiC/SiO<,2>超晶格(多层膜).室温下观察到了430nm处的蓝光发射峰,随势阱层SiC层厚度的减小,蓝光峰发生蓝移,这可由量子限制效应来加以解释.SiC/SiO<,2>样品在外加电场后发光峰出现了明显的加强和蓝移.发光峰的加强源于超晶格势阱间量子态的相互作用或耦合增强,蓝移是源于自由激子的辐射复合.
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