[TiMing]：JinShuHeBanDaoTiKeLiFuHeGuiJiBaoMoDeJieGouJiFaGuangTeXingDeYanJiu
[作者]：吴雪梅[ZuoZhe]：WuXueMei[专业]：凝聚态物理[ZhuanYe]：NingJuTaiWuLi
[导师]：宁兆元[DaoShi]：NingZhaoYuan[学位]：博士[XueWei]：BoShi
[单位]：苏州大学[DanWei]：SuZhouDaXue
[关键词]：Si_SiO<'>薄膜\"/(620)")'>Si_SiO<;2>薄膜;Ge_SiO<'>薄膜\"/(620)")'>Ge_SiO<;2>薄膜;Al_Si_SiO<'>薄膜\"/(620)")'>Al_Si_SiO<;2>薄膜;结构;光吸收特性;光致发光;电致发光
[时间]：20021001[页数]：85页[点击]：20041[分类号]：O484.4;TB43[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：光电子信息材料是该世纪最受关注的材料之一,光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用.由于硅的平观集成工艺已相当成熟,所以从工艺兼容性考虑,用硅基材料作为发光器件将是最佳的选择,而其获得应用的关键是提高发光效率.我们利用双离子束共溅射和射频磁控共溅射技术制备了一系列含有半导体温表Si、Ge颗粒及金属颗粒Al的薄膜,即Si-SiO<,2>薄膜、Ge-SiO<,2>薄膜和Al-Si-SiO<,2>薄膜,分别对它们的结构、光吸收以及发光性质进行了研究.
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