[TiMing]：ChuMeiCVDDiWenZhiBeiNaMiβ-SiCBaoMoJiQiXingNengYanJiu
[作者]：李建超[ZuoZhe]：LiJianChao[专业]：材料物理与化学[ZhuanYe]：CaiLiaoWuLiYuHuaXue
[导师]：严辉;王波[DaoShi]：YanHui;WangBo[学位]：硕士[XueWei]：ShuoShi
[单位]：北京工业大学[DanWei]：BeiJingGongYeDaXue
[关键词]：触媒CVD;分步碳化;负偏压;薄膜透射光谱;纳米β_SiC
[时间]：20020501[页数]：75页[点击]：20041[分类号]：TB345[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：该文采用触媒CVD方法,在单晶Si和石英衬底上制备出纳米立方SiC（β-SiC）薄膜.通过控制参数,在较低的衬底温度下成功获得出（111）择优取向的纳米薄膜.在该工作中,着重研究了主要工艺参数对纳米β-SiC薄膜生长特性的影响.采用紫外-可见分光光度计测定了纳米β-SiC薄膜透射光谱和反射光谱,并通过样品的透射光谱和反射光谱计算了纳米β-SiC薄膜吸收收系数α和光学带隙E<,g>.
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