[TiMing]：GuiJiTanHuaGuiBaoMoDeZhiBei、JieGouHeFaGuangTeXingYanJiu
[作者]：谭超[ZuoZhe]：TanChao[专业]：凝聚态物理[ZhuanYe]：NingJuTaiWuLi
[导师]：吴兴龙;冯端[DaoShi]：WuXingLong;FengDuan[学位]：硕士[XueWei]：ShuoShi
[单位]：南京大学[DanWei]：NanJingDaXue
[关键词]：硅基碳化硅薄膜;制备;结构;发光特性研究
[时间]：20020627[页数]：36页[点击]：20041[分类号]：O484[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：该文用脉冲激光沉积在硅片上制备了一层约300nm厚的碳化硅薄膜,通过红外吸收谱、高分辨率电镜观测、光致发光谱和光致发光激发谱的研究分析揭示了这种硅基碳化硅薄膜材料的结构和发光性质.获得的主要结论如下：1.制备出的薄膜是含有β-SiC晶粒的SiC多晶膜,其中还含有少量非化学剂量比的SiO<,x>和一些Si晶粒.2.在氙灯370nm波长光激发下,得到了峰位在471nm和435nm的两个发光峰.3.监控在471nm和435nm发光峰位处的PLE谱检测发现在370nm左右的PLE峰同监控波长有一定的依赖关系.4.结构的观测和大量的谱学分析揭示了样品蓝光发射的机制.5.利用射频磁控溅射仪,在p型硅衬底上制备了纳米锗晶粒镶嵌的SiO<,2>薄膜,退火后制成MIS结构的EL器件.
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