Ge-SiO<,2>薄膜的光致发光和电致发光及其机理研究-姚伟国;吴雪梅-毕业论文
[题名]：Ge-SiO<,2>薄膜的光致发光和电致发光及其机理研究
[TiMing]：Ge-SiO<,2>BaoMoDeGuangZhiFaGuangHeDianZhiFaGuangJiQiJiLiYanJiu
[作者]：董业民[ZuoZhe]：DongYeMin[专业]：凝聚态物理[ZhuanYe]：NingJuTaiWuLi
[导师]：姚伟国;吴雪梅[DaoShi]：YaoWeiGuo;WuXueMei[学位]：硕士[XueWei]：ShuoShi
[单位]：苏州大学[DanWei]：SuZhouDaXue
[关键词]：Ge_SiO<'>薄膜\"/(620)")'>Ge_SiO<;2>薄膜;射频磁控溅射;光致发光;电致发光;发光机理
[时间]：20010401[页数]：39页[点击]：20041[分类号]：O484.41[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：该论文主要研究了Ge-SiO<,2>薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)性质,讨论了可能的发光机理.采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO<,2>薄膜,随后在N<,2>中进行不同温度的退火.用XRD、TEM、FTIR、XPS等测试方法对薄膜的微结构进行了表征.600℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶出现,经600℃到1000℃退火,Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9nm增至6.1nm.测量了薄膜的PL谱和PLE谱.在紫外光的激发下,所有的薄膜样品都发现很强的紫光,峰位在394nm.随着Ge纳米晶粒的出现,样品有580nm的黄光发出,其强度随晶粒平均尺寸的增大而增强.分析表明,紫光来源于薄膜中的GeO缺陷;黄光则来自于Ge纳米晶粒与SiO<,2>基质界面处的发光中心.
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