[TiMing]：GuiJiBaoMoZhongJinShuKeLiDuiFaGuangTeXingDeYingXiang
[作者]：汤乃云[ZuoZhe]：TangNaiYun[专业]：材料物理与化学[ZhuanYe]：CaiLiaoWuLiYuHuaXue
[导师]：姚伟国;吴雪梅[DaoShi]：YaoWeiGuo;WuXueMei[学位]：硕士[XueWei]：ShuoShi
[单位]：苏州大学[DanWei]：SuZhouDaXue
[关键词]：Al_Si_SiO<'>薄膜\"/(620)")'>Al_Si_SiO<;2>薄膜;电致发光;光致发光;铝颗粒;发光效率
[时间]：20011201[页数]：40页[点击]：20041[分类号]：O484[语种]：中文文摘[来源]： 毕业论文
[文摘]：采用双离子束溅射技术,通过对由Si、SiO<,2>以及Al、Si和SiO<,2>组成的复合靶的溅射制备出Si-SiO<,2>以及Al-Si-SiO<,2>薄膜.其中铝、硅在薄膜中的含量可分别通过改变靶面上铝、硅所占的表面积来调节.通过对上述薄膜的PL、PLE以及EL的分析,研究了此类薄膜中所存在的缺陷及发光中心,以及结构对发光的影响.着重讨论了掺铝对薄膜电致发光的启动电压、发光强度、发光效率的影响.用XRD,TEM,XPS等测试手段对薄膜的成分、元素的化学状态、晶体结构以及形貌等进行了分析测试.对薄膜进行了PL和PLE谱的测量.研究了薄膜中的缺陷状态和发光中心.对薄膜进行了EL谱的测量.发现了Si-SiO<,2>薄膜和Al-Si-SiO<,2>薄膜均存在很强的峰位在510nm的电致发光（EL）谱峰.
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